激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一，之前已经介绍过了。

　　光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。

　　能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。

　　光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。

　　遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。

　　能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。

　　掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。

　　掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。

　　物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。

　　硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。

　　内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

　　光刻机双工件台系统样机的意义

　　双工件台

　　过去，光刻机只有一个工作台，所有流程都在一个工作台上完成。双工件台系统的出现，使得光刻机能够在不改变初始速度和加速度的条件下，当一个工作台在进行曝光工作的同时，另外一个工作台可以同时进行曝光之前的预对准工作，使得光刻机的生产效率提高大约 35%——ASML 的 TWINSCAN NXE3300B 型光刻机，分辨率小于 22nm，生产效率可以达到 125片/小时。

　　虽然看起来仅仅是加一个工作台，但技术难度却不容小觑——对换台的速度和精度有非常高的要求，如果换台速度慢，则影响光刻机工作效率;如果换台精度不够，则可能因此而影响了后续扫描光刻等步骤的正常开展。

　　特别是对浸没式光刻机而言，由于物镜和硅片之间增加一层特殊的液体，如何使液体在换台时依旧停留在物镜和硅片之间，不因换台发生流动，则是一个不小的技术难题。另外，还有避免污染的问题。

　　现今技术成熟的双工件台系统主要是导轨式，驱动方式主要分为气浮驱动和磁悬浮驱动。目前，ASML公司已成功研发了磁悬浮工件台系统，使得系统能够忽略摩擦系数和阻尼系数，其加工速度和精度是机械式和气浮式工件台所无法比拟的。不仅如此，ASML公司基于磁悬浮工件台的基础，研发了无导轨式的平面编码磁悬浮工件台系统，通过平面编码器对工作台进行精确定位，进一步提升了精度。

　　诚然，由于α光刻样机采用双工件台系统的具体技术细节还未披露，笔者也无从了解α光刻样机采用双工件台系统的定位精度、工件台和掩膜台之间的同步误差等数据，以及是气浮驱动和磁悬浮驱动，更无从了解α光刻样机采用双工件台系统是否能达到ASML公司的技术水平。不过，α光刻样机采用双工件台系统已获得专利授权122项，而且专家组认为，该双工件台系统的关键技术指标已达到国际同类光刻机双工件台水平。

　　光刻机的种类和历代改进